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BSS123N H6327 /MOSFET N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
BSS123N H6327的规格信息
BSS123N H6327的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:190 mA

Rds On-漏源导通电阻:2.4 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:800 mV

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:900 pC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W)

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.1 mm

长度:2.9 mm

系列:BSS123

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:1.3 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:410 mS

下降时间:22 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:3.2 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:7.4 ns

典型接通延迟时间:2.3 ns

零件号别名:BSS123NH6327XT BSS123NH6327XTSA1 SP000870646

单位重量:8 mg

供应商BSS123N H6327
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